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| 规格书 |
 MTW32N20E |
| 文档 |
Multiple Devices 19/Jun/2009 |
| 产品更改通知 | Product Obsolescence 19/Jun/2009 |
| 标准包装 | 30 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 200V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 32A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 75 mOhm @ 16A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 120nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 5000pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 180W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 包装材料 | Tube;;其他的名称； |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 最大漏源电压 | 200 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | TO-247 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Rail |
| 最大漏源电阻 | 75@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-247 |
| 最大功率耗散 | 180000 |
| 最大连续漏极电流 | 32 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 32A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商设备封装 | TO-247 |
| 其他名称 | MTW32N20EOS |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 75 mOhm @ 16A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 180W |
| 标准包装 | 30 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 5000pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 120nC @ 10V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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